メニューを開く
ニュース
マイニュース
特集
番組
トピックス
学び
探す
ログイン
プレミアムを無料で体験
コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす
EE Times Japan
フォロー
2021/07/13
6
Picks
アプリで本文を読む
このまま本文を読む
おすすめ
保存
本文を読む
おすすめ
保存
コメント
選択しているユーザー
みゅーと .
フォロー
半導体製造装置 機械設計
・
2021年07月14日
コンプリメンタリFETまで来たら、ロジックの積層化までもう少しみたいになってくるな、、、、、
PICK
アプリでさらにコメントを見る
新規登録・ログインしてすべてのコメントを見る
Download_on_the_App_Store_Badge_JP_RGB_blk_100317
トップ
『コンプリメンタリFET(CFET)でCMOS基本セルの高さを半分に減らす』のコメント
マイニュースに代わり
フォローを今後利用しますか
いいえ
はい