半導体製造における「洗浄工程」の頻度はEUVでどうなる？ - SPCC 2021

コメント

注目のコメント

• Kato Jun

  ユーザベース SPEEDAアナリスト

  ・2021年06月28日

  半導体の種類ごとの洗浄プロセスの差が面白い。
  3DNANDは、トレンチ掘るためにクリーンルームがエッチャーだらけという話は聞いたことがあるが、今後は洗浄も増える？（下記Pickしたように現在は最先端が160層を超えてきたくらいで、記事のグラフでちょうど増え始めのところ）。
  洗浄装置が増える→SCREENの需要増の可能性。
  https://newspicks.com/news/5900060
• tanaka k

  汎用エンジニア

  ・2021年06月29日

  洗浄は物理的にパーティクルを洗い落とすものと、金属とか有機物とかのゴミを溶かすものとがある。超臨界は前者、よく環境負荷がどうのとか言われるのは後者。
  
  今はほとんどすべての洗浄がウェットだけど、フッ酸蒸気によるシリコン自然酸化膜除去とか、ドライ工程もある。
  
  とくにこういったケミカルな工程はドライプロセスでもできるはずで、たぶんコスト的に見合わないからやってなかったけど、EUV世代以降はドライ洗浄じゃないと難しい場面も出てくるかもしれない。
  
  過去、塗り物のカーボンマスクがCVD膜になったように。
• 梅林 憲之

  技術営業 機械

  ・2021年06月28日

  既に5nmプロセスが量産されており、記事によると洗浄については2nmまでこのままいけそうですね。14nmで足踏みした時は行き着いたかに思われていましたが、その1/10の大きさが次の壁になるとは、驚くばかりです。