半導体分野で言えば、パッシベーション膜やエッチングマスク用膜 (SiO2等) を形成するプラズマCVD、および半導体基板を削るための反応性イオンエッチング (RIE) にてプラズマを使用します。微細加工のためには、上記処理を精密に実施する必要がありますが、プラズマを使用するため、プロセス中の詳細モニタリングが困難であるという課題がありました。 今回の成果により、プラズマを使用する処理の条件出しの迅速化や処理そのものの精度向上が可能になるため、半導体デバイス製造にとっての革命的な一手のひとつになるかもしれません。
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