東芝メモリ喫緊の課題「3次元NAND」、サムスンの独走許した深い理由
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裏話みたいな意味では、面白いが、この筆者は、これを各社のメモリ部門のトップと議論しているのだろうか。
確かに、ＴＥＬのエッチャ―を使って失敗、サンディスクも使っているラム（本質的には、堀場のマスフロー）が良かったが、それよりも、サムスンは、段階をおって通すというステップバイステップだったのに対し、東芝は一気通貫を狙ったこと、カネがなく、２Ｄと３Ｄを併用したのが問題だったろう。
3Dでやや遅れたのは、こうした技術戦略の差があるが、その背景には、1MDRAMの時に、日立やNECが、キャパシタの3D（スタック）で失敗、東芝はトレンチだったが、最終的にはプレーナー型（2D）を選び、1/2Vcc技術で大成功したが、その時の成功体験が、技術開発の哲学に影響しているのではないか。また、将来の技術戦略や資本戦略も影響している。
あと、表で、東芝とサンディスクと一緒にしているが、微妙に違うとも聞く。内情に通じた筆者だけに迫真のレポートで興味深かった。しかし、いち早く3次元NANDの量産に成功したサムスンの「中国が招致した西安工場では、土地代がタダ、電気や水などのインフラ代がタダ、法人税が向こう10年間免除、加えて、オペレーターとして現地中国人を2千人規模で採用しているため各種補助金が出る」とは凄まじい。マッキンゼー時代に半導体工場の生産性改善に関わったことあるけど、ラインあたりのコストが10倍以上になっている。今の東芝ではこの設備投資競争についていけないから、資金力あるスポンサーの下で64層の量産化で世界トップを目指してほしい。
あまりにも迷走しまくってて思わず笑ってしまった。。。会社あげて突き抜けてる感じ。
ドラマを観てるみたいで面白い記事でした。
以下覚え書き。
『半導体史上もっとも困難な深孔加工を強いられる3次元NANDの製造であるが、この深孔加工を巡って東芝は迷走に次ぐ迷走を重ねた。』
＊『東芝の迷走の始まり』（深孔加工：構造編）
「SNSN構造」を選択して同じ装置で一括加工が可能となるサムソン電子に対し、東芝は「OPOP構造」を選んだが、ドライエッチング条件がまったく違うため一括で孔は開かない。。。
＊『まだまだ続くよ迷走は』（深孔加工：装置編）
①3次元NANDの深孔加工は、ラムリサーチがほぼ独占しているにもかかわらず、仲良しの東京エレクトロンと共同開発した装置を使い、、、要は失敗。。。
②ラムリサーチとアプライドを評価してラムリサーチって決めたのに。。。アプライド製買っちゃった。。。
だってどうせ同じような技術者（二社間で人の行き来が激しい）が設計したんだもん。。。アプライド製の方が3割安いし。。。
でも、やっぱり孔は開かなかった。。。→ラムリサーチ製買いました。。
＊『最後の迷走』（深孔加工：ガス編）
ラムリサーチ推奨ガスは特殊なので使わないよ！うちの技術力なら大丈夫だよ！→。。。→やっぱり孔は開きません。。。
→推奨ガスを使うことにしました。。。
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いずれにしても、東芝は上記の48層の3次元NANDではなく、次の64層狙いだそうです。
48層で迷走しても多額の投資をしてる訳じゃないからいいのかな？？
64層でがんばって1番とってもらいたいです。
