ＮＡＮＤ型メモリー、18年度に生産3倍に ３Ｄ軸＝東芝副社長

コメント

注目のコメント

• 若林 秀樹

  東京理科大学　大学院経営学研究科技術経営(MOT)専攻 教授

  ・2016年07月07日

  足元NAND市況については、予想外の中華スマホの大容量化で需給がタイト化、価格下落は鈍化。ただ、その中華スマホの販売動向などを見極めるべきとし、下期についてはやや慎重の模様。円高はマイナスだが、足元の価格下落傾向の鈍化なら、7月以降を1ドル100円前提でもNAND事業の計画、売上高7466億円、OP244億円はクリアできそう。
  3DNAND(BiCS)は、16年3月末から48層量産を開始、64層品も今上期中にサンプル出荷開始、ユーザー認定もあり、3D比率は年間GBで約半分、2018年度は大半3Dのようだ。2D品の不足もありえるが、需給や収益性を見極めて考慮するようだ。
  懸念されていた3Dの歩留まりは、改善傾向、自信があるようだ。四日市工場へのAI導入が紹介されたが、これもサムスン等と比べても進んでおり、キャッチアップできた背景だろう。層数も100層以上の自信のようだ。キヤノンとのNILはクリティカルでない部分への適用。鍵となる周辺回路でレイテンシ高速化だが、ゲームGPU等の技術者を投入し強化。
  SCMはまだ見えないが3DのつぎにReRAMで対応。なお、2Dではトンネル酸化膜の劣化で寿命があるが3Dではチャネルトラップを使用、寿命は延び、長期の連続アクセスに耐えるため、データセンター向きのようだ。実際にはデータセンターでの代替需要もあるだろう。ビットコストは、現在は、ハイエンドの1万~1.5万rpmのHDDで同等だが、全体では、2020年は無理で、2023-2025年とした。2018年がPC向けSDD本格離陸だが、2025年には、データセンターが中心になっていることになり、現在のスマホ動向に左右される状況を脱し、安定化しよう。
• 疋田 裕二

  KOKUA, Inc. 代表取締役（共同経営）

  ・2016年07月07日

  従来、NAND型フラッシュメモリの容量を増やすためには、セル自体の数を増やす、もしくは、ひとつのセルにより多くの情報を記憶できるようにする必要があった。しかしその考えを画期的に変えたのが、3次元フラッシュメモリ。セルを上に積み上げる「積層化」させることによって同サイズでの高容量化を実現させた。ちなみにスマホの高画質化に伴い世界の記憶装置市場は現在、急速に伸びている。
  
  記事の通りサムスンが強く、力をいれている領域でもある。サムスンは32層、東芝は48層と積層数では上回るが、リスクを取った大きな勝負でもあると感じる。
  
  韓経：サムスンの勝負、３次元ＮＡＮＤに２５兆ウォン投資…東芝など引き離しへ(2016/6/15)
  http://s.japanese.joins.com/article/926/216926.html
• 稲葉 雅巳

  電子デバイス産業新聞 記者

  ・2016年07月07日

  ①17年度にGBアウトプット基準で2Dと3Dがイーブンに②3Dの次はReRAM、というのが説明会に参加して感じた個人的なキーメッセージです。
  あとはUFSやコントローラーの話があったのも有意義でした。
  韓国メーカーの間には、大きな差があるのは事実ですが、頑張ってほしいものです。