三菱電機、6.5kV耐圧のフルSiCモジュールを開発

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注目のコメント

• Kasai Wataru

  化学品製造業 製品開発

  ・2018年02月02日

  http://www.nedo.go.jp/content/100799305.pdf
  ↑ですね。
  SiCになると、チップのジャンクション温度を200℃以上まで上げられるが、周辺材料たる絶縁基板やチップとの接合材料がやられてしまう。
  そこの開発を、基板はデンカと日本ファインセラミックスが、接合材料をDOWAエレクトロニクスが担ったとのこと。