ソニーが100G級の新メモリー、NANDとDRAMの間を埋める

コメント

注目のコメント

• 若林 秀樹

  東京理科大学　大学院経営学研究科技術経営(MOT)専攻 教授

  ・2017年07月20日

  4f2は、かなり小さい。NANDの2倍。これはかなり有利。
  あと買換え回数1000万回が少しＲＡＭとしてはどうか？
• 大槻 智洋

  日本の老舗インキュベーター Incubation and Investment Manager

  ・2017年07月21日

  "メモリーセルは、1セレクターと1抵抗素子から成る"