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半導体(パワー)
モーター駆動、バッテリー充電、またはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行うことを目的とした半導体を製造する企業群
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大相場の足音――「パワー半導体関連」仕込み場のワケ <株探トップ特集> - ニュース・コラム
Y!ファイナンス
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―EV新時代とその先にある成長市場、“望外の安値”はここに―  米国株市場を震源地とする世界株波乱も目先的には落ち着き
4Picks
大手企業から中小企業の社長に。大分版“下町ロケット”がここに
PR Table
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2001年まで、大手企業の下請け仕事だけをこなしていた大分デバイステクノロジー株式会社。父の後を継いだ2代目社長の安部征吾は、ITバブルの崩壊をきっかけに新たな道を模索し、今やパワー半導体の最新...
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銅と黒鉛の複合材、次世代パワー半導体の放熱基板に
ニュースイッチ
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アカネ(広島市安芸区、砂本健市社長)は、熱伝導率が銅の2倍以上と極めて高い、黒鉛と銅からなる複合材を開発した。ハイブリッド自動車(HV)や電車などに使われる次世代パワー半導体の放熱基板としての用途を想定し実用化を進める。 開発した複合材の熱伝導率は平均800ワット/メートル・ケルビン以上。銅が398、ヒートシンクの材料になるアルミニウムが236なのと比べても高い。シート状炭素分子が層状に積み...
10Picks
1兆円が見え始めた富士電機「追い風は続く」(北澤社長)
ニュースイッチ
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―2017年4―9月期連結決算は営業利益や当期利益が過去最高になりました。 「中国で工場の設備投資が活発で、産業機器向けに当社のパワー半導体の需要が想定以上に伸びた。また工場の自動化などに貢献するパワーエレクトロニクス機器関連も堅調だ。単品ではなく、複数製品を組み合わせてシステム提案して収益拡大を図る取り組みが実を結んできた」 ―18年も好調を維持できそうですか。 「国内でも素材から鉄鋼、化...
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デンソーとFLOSFIA、次世代パワー半導体「酸化ガリウム」を車載用途に
財経新聞
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デンソーとFLOSFIAは4日、次世代のパワー半導体の材料として、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)の車載応用に向けた共同開発を開始すると発表した。
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パワー半導体にもEVの波がやって来た!
ニュースイッチ
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パワー半導体各社が攻勢を強めている。家電や産業機器向けの市場が好調に推移するほか、今後は電気自動車(EV)化の進展で需要が一段と膨らむ見通し。次の成長の柱となる「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」を
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日立金属、ロームからSiC製造の一部を受託へ
EE Times Japan
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日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC(炭化ケイ素)パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部(研磨工程)を受託する方針を明らかにした。
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パワー半導体の規模拡大に消極的だった富士電機が攻めに転じたワケ
ニュースイッチ
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富士電機がパワー半導体の事業拡大に向け、アクセルを踏み込む。2017―20年度の4年間で500億円規模の増産投資を実施し、23年度までに売上高を17年度見込み比5割増の1500億円規模に引き上げる計画。これまで同社はパワー半導体について規模拡大には消極的だった。自動車の電気自動車(EV)化の流れが戦略を一変させた。 富士電機はパワー半導体事業で、17年度に設備更新などの基盤整備用途での100...
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東芝がメモリー以外でも半導体で攻める
ニュースイッチ
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東芝は自動車向けを中心とした需要増をにらみ、パワー半導体事業で増産体制を整える。2017年度中にシリコン(Si)パワー半導体の生産能力を現在比20%引き上げる。次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体では大口径化を進め、生産能力を同5倍に高める。同事業で売上高ベースで年率5%の成長を目指す。半導体メモリー事業売却後の半導体部門の中核となるパワー半導体事業の拡大は、同社の成長戦略に必須となる。...
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三菱電機、6.5kV耐圧SiCパワー半導体開発 鉄道事業の躍進なるか
財経新聞
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三菱電機は1月31日、独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発したと発表した。
5Picks
三菱電機、6.5kV耐圧のフルSiCモジュールを開発
EE Times Japan
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三菱電機は2018年1月31日、シリコンによる従来のパワー半導体モジュールよりも定格出力密度を1.8倍に高めた6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発したと発表した。ダイオードを内蔵したSiC-MOSFETを採用し、小型サイズを実現している。
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次世代パワー半導体材料で酸化ガリウム急浮上
ニュースイッチ
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次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。電力変換効率に優れ、実用化が進む炭化ケイ素(SiC)より高性能で、生産コストも抑えられるという。京都大学発ベンチャーのFLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅俊実社長、075・963・5202)が、Ga2O3製のショットキーバリアーダイオード(SBD)を開発。実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(Ga...
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GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター
MONOist
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安川電機は、ACサーボドライブの新製品として、GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7F」モデルを発売した。サーボモーターとサーボパック機能を一体化し、サーボパックのアンプ部の体積比を従来の2分の1に抑えた。
8Picks
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
EDN Japan
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アナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。
11Picks
インバーターにSiCパワー半導体を採用した効果をシミュレーションで実証
MONOist
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ロームは「自動車技術展:人とくるまのテクノロジー展2017」において、電気自動車向けのSiCパワー半導体を提案する。
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パワー半導体SiC、25年までに6.9倍の成長。市場を牽引する日本企業の最新技術
エコノミックニュース
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IT技術の発展と省エネは、決して切り離して考えることはできないものだ。  今や、我々の生活はIT技術に支えられているといっても過言ではない。身近な交通機関や自動車、住宅もIT技術の塊のような世の中。
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