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半導体(パワー)
モーター駆動、バッテリー充電、またはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行うことを目的とした半導体を製造する企業群
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14Picks
アイシン精機、車載半導体をタワージャズで量産
EE Times Japan
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タワージャズは、アイシン精機がタワージャズのパワーマネジメント技術を用いて、次世代の車載用半導体チップを量産することになったと発表した。
11Picks
次世代パワー半導体のウエハーを高効率に切り出す!
ニュースイッチ
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電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料として期待されている。普及への課題は製造コストが高く加工しにくい点だ。ディスコはSiCの塊(インゴッド)から、高効率かつ高精度にウエハーを切り出す加工技術「KABRA(カブラ)」を開発した。同技術はSiC市場を切り開く一手となるか。技術開発本部の大宮直樹レーザ技術部長に聞いた。 ―カブラとは。...
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パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
EE Times Japan
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富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
4Picks
【東芝危機】日本電産の永守重信会長兼社長「参加するつもりない」 東芝メモリ入札の日本企業出資構想で
産経ニュース
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日本電産の永守重信会長兼社長は26日、東京都内で記者団の取材に応じ、東芝が半導体メモリー事業を分社した「東芝メモリ」に日本企業が出資する構想について「参加するつもりはない」と語った。一方、東芝のパワー半導体事業に対しては「興味がある」とM&A(企業の合併・買収)に関心を示した。
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村田製作所、米半導体ベンチャーを買収する狙い(ニュースイッチ)
Yahoo!ニュース
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村田製作所は小電力パワー半導体を開発する米アークティック・サンド・テクノロジーズ - Yahoo!ニュース(ニュースイッチ)
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インフィニオンの牙城を崩せるか。三菱電機が欧州にパワー半導体の拠点
ニュースイッチ
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三菱電機は欧州にパワー半導体の技術マーケティング拠点を開設する。ドイツの販売拠点内に専門の人員を置き、2017年度から本格的な活動を始める。欧州の大学とのオープンイノベーションや、技術団体への参画などを行うのが狙い。現地のニーズを収集し、欧州事業の拡大につなげる。現在、欧州でのパワー半導体市場のシェアは15%程度だが、近い将来には20%超にすることを目指す。 すでにドイツ販売拠点に専門人材を...
5Picks
電力損失約20%低減のパワー半導体、大型産機の省電力に効果
MONOist
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三菱電機は、鉄道車両や大型産業機械などに使用するパワー半導体モジュール「HVIGBTモジュール Xシリーズ」に、耐電圧3.3kV/4.5kV/6.5kVクラスの計8種類を追加した。従来品に比べて電力損失を約20%低減した。
9Picks
新幹線、新型車両「N700S」床下のヒミツ
ニュースイッチ
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JR東海は2020年度に東海道新幹線に投入する新型車両「N700S」の開発を進める。床下の駆動システムのコンバーター、インバーターに炭化ケイ素(SiC)素子のパワー半導体を採用し、小型・軽量化する。顔である先頭車両の形状はシミュレーションと風洞実験により、風切り音などの騒音を数%減らす。 13年に投入した「N700A」以来の新型車両で、SiC素子は大手電機メーカー4社と共同開発した。SiC素...
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パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japan
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EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。
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SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
EE Times Japan
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昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。
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【熊本地震】三菱電機のパワー半導体工場、連休明けから再開
ニュースイッチ
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熊本地震で被害を受け工場を停止していた半導体各社で、復旧が想定以上の早さで進んでいる。三菱電機は21日、熊本県合志市のパワー半導体工場の一部生産を5月9日に再開する予定だと発表した。25日に生産再開見通しを公表するとしていた東京エレクトロンは、当初見通しより早い25日から熊本県合志市の生産拠点を段階的に稼働させる計画だ。ルネサスエレクトロニクスも22日に熊本市のグループ工場で稼働を一部再開す...
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NXP、ディスクリートやパワーMOS事業を中国社に売却
日経テクノロジーオンライン
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半導体の業界再編が止まらない。オランダNXP Semiconductors社が、ディスクリートやロジック、パワーMOS半導体などを扱うスタンダードプロダクト事業部門を、中国の投資会社に売却する。
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SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
EE Times Japan
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ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。
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フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
EE Times Japan
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パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。
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日本が世界をけん引、パワーエレクトロニクス最新事情
ニュースイッチ
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松波弘之氏(京都大学名誉教授)《実用化が進むパワー半導体SiCの最新動向》 これまでパワーデバイスは、Siを材料にして作られてきたが、SiCは現用のSiに比べて、約3倍の禁制帯幅を持つなどの特性があり、電力の損失を?分の1程度に抑えられることができるほか、耐圧性にも優れている。また熱にも強く、大がかりな冷却装置も必要ないことから、機器の小型化にも貢献できる。 最近ではIoT(モノのインターネ...
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SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
EE Times Japan
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矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。
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6インチSiCの量産化は2017年? GaNはどうなる
EE Times Japan
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富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。
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パワー半導体この1年――買収や協業が相次ぐ、SiCやGaNも浸透
日経テクノロジーオンライン
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省エネの切り札とされるパワー半導体。2015年は、パワー半導体素子(以下、パワー素子)のメーカーの買収や協業が相次いだ。SiCやGaNといった次世代のパワー半導体の適用も進んだ。加えて、酸化ガリウム…
14Picks
《中堅電子部品メーカーの生きる道#02》サンケン電気&ニチコン
ニュースイッチ
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サンケン電気・和田節社長 ―車載用パワー半導体事業の重点戦略は。 「海外メーカーとの取引拡大に向けた施策を継続する。直販体制をこれまで以上に強化したり、顧客の拠点近くに技術営業職(FAE)を配置し訪問頻度や提案力を向上させる取り組みを強化する」 ―具体的には。 「まずは有力な自動車メーカーが集積する欧州エリアを攻める。米子会社のアレグロマイクロシステムズが持つドイツの営業拠点にFAEを常駐さ...
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