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半導体(パワー)
モーター駆動、バッテリー充電、またはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行うことを目的とした半導体を製造する企業群
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パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
EE Times Japan
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富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
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インフィニオンの牙城を崩せるか。三菱電機が欧州にパワー半導体の拠点
ニュースイッチ
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三菱電機は欧州にパワー半導体の技術マーケティング拠点を開設する。ドイツの販売拠点内に専門の人員を置き、2017年度から本格的な活動を始める。欧州の大学とのオープンイノベーションや、技術団体への参画などを行うのが狙い。現地のニーズを収集し、欧州事業の拡大につなげる。現在、欧州でのパワー半導体市場のシェアは15%程度だが、近い将来には20%超にすることを目指す。 すでにドイツ販売拠点に専門人材を...
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パワーやイメージャーなど産業用製品を提案 オンセミ
EE Times Japan
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ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)は、展示会「TECHNO-FRONTIER 2017」(テクノフロンティア/会期:2017年4月19〜21日)で、産業分野向けパワーマネジメント製品やCMOSイメージセンサーを中心に、IoT向け無線SoCの新製品やUSB Type-C/USB PD関連システムの提案を行う。
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次世代半導体を搭載したインバーター、鉄道から自動車へ広がるか
ニュースイッチ
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三菱電機は小型、高出力を実現したハイブリッド車(HV)用インバーター(写真)を開発した。熱効率に優れた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを採用し、体積は5リットル、体積当たりの電力量を示す電力密度は1リットル当たり86キロボルトアンぺアを実現した。今後量産開発を進め、2021年度以降の事業化を目指す。 2モーター方式のHVに対応した製品でバッテリーの電圧変換やモーターの回転制御などに...
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新幹線、新型車両「N700S」床下のヒミツ
ニュースイッチ
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JR東海は2020年度に東海道新幹線に投入する新型車両「N700S」の開発を進める。床下の駆動システムのコンバーター、インバーターに炭化ケイ素(SiC)素子のパワー半導体を採用し、小型・軽量化する。顔である先頭車両の形状はシミュレーションと風洞実験により、風切り音などの騒音を数%減らす。 13年に投入した「N700A」以来の新型車両で、SiC素子は大手電機メーカー4社と共同開発した。SiC素...
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パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
EE Times Japan
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EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回のテーマはパワー半導体。「SiCやGaNを使う次世代パワー半導体に期待はあるが、シリコンから置き換わるのは何年も先だろう」と専門家は見ています。
19Picks
SiCパワー半導体が300℃でも動作する基板構造
EE Times Japan
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昭和電工と大阪大学の菅沼克昭氏が推進するプロジェクトは2016年7月19日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体が300℃の高温域においても安定的に動作する基板構造を開発したと発表した。
8Picks
スマホ部品の実力者がGEと次世代パワー半導体の回路を共同開発
ニュースイッチ
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太陽誘電は25日、米ゼネラル・エレクトリック(GE)のベンチャーキャピタル部門であるGEベンチャーズと、次世代半導体向け電子回路の商用化に取り組むと発表した。独自のパッケージング技術により、ワイヤボンドなく電子部品を内蔵した回路を作る。高い密度で部品を搭載でき、変換効率の高い技術として産業機器への採用を見込む。商用化の時期は、2020年以降とみられる。 炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(G...
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電気自動車にSiCパワー半導体を採用するなら、電池容量は60kWhが目安
MONOist
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは、2016年内に買収を完了する予定のWolfspeedと創出していくシナジーについて説明した。同社は、発電や電気自動車のインバータに向けたSiCパワー半導体や、5G通信の普及をにらんだGaN-on-SiCウエハーのRFパワー半導体を強みとする。
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三菱電機がSiC-SBDを発売、ディスクリート品は初
EE Times Japan
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三菱電機は、SiC(炭化ケイ素)を用いたパワー半導体の新製品「SiC-SBD」を2017年3月1日に発売した。同社はこれまでSiC-SBDやSiC-MOSFETを搭載したパワー半導体モジュールを2010年から製品化してきたが、ディスクリート品の提供は初となる。
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【熊本地震】三菱電機のパワー半導体工場、連休明けから再開
ニュースイッチ
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熊本地震で被害を受け工場を停止していた半導体各社で、復旧が想定以上の早さで進んでいる。三菱電機は21日、熊本県合志市のパワー半導体工場の一部生産を5月9日に再開する予定だと発表した。25日に生産再開見通しを公表するとしていた東京エレクトロンは、当初見通しより早い25日から熊本県合志市の生産拠点を段階的に稼働させる計画だ。ルネサスエレクトロニクスも22日に熊本市のグループ工場で稼働を一部再開す...
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NXP、ディスクリートやパワーMOS事業を中国社に売却
日経テクノロジーオンライン
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半導体の業界再編が止まらない。オランダNXP Semiconductors社が、ディスクリートやロジック、パワーMOS半導体などを扱うスタンダードプロダクト事業部門を、中国の投資会社に売却する。
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SiCを取り巻く環境、「この2年で変わった」
EE Times Japan
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ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」(2016年5月10〜12日)に出展した米国のUSCi(United Silicon Carbide, inc.)は、SiCパワー半導体に対する認識がここ数年で大きく変わったと語る。
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フルSiCは時期尚早? コスト面での不利さ拭えず
EE Times Japan
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パワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」で、耐圧650VのSiC SBD(ショットキーバリアダイオード)や同1200VのSiC MOSFETなどを紹介したToshiba Electronics Europe。SiCのSBDとMOSFETを組み合わせた“フルSiC”のパワーモジュールは登場しているが、コストの壁は大きいと同社は述べる。
37Picks
日本が世界をけん引、パワーエレクトロニクス最新事情
ニュースイッチ
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松波弘之氏(京都大学名誉教授)《実用化が進むパワー半導体SiCの最新動向》 これまでパワーデバイスは、Siを材料にして作られてきたが、SiCは現用のSiに比べて、約3倍の禁制帯幅を持つなどの特性があり、電力の損失を?分の1程度に抑えられることができるほか、耐圧性にも優れている。また熱にも強く、大がかりな冷却装置も必要ないことから、機器の小型化にも貢献できる。 最近ではIoT(モノのインターネ...
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SiC/GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
EE Times Japan
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矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0%減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。
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6インチSiCの量産化は2017年? GaNはどうなる
EE Times Japan
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富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。
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