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半導体(パワー)
モーター駆動、バッテリー充電、またはマイコンやLSIを動作させるなど、電源(電力)の制御や供給を行うことを目的とした半導体を製造する企業群
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13Picks
銅と黒鉛の複合材、次世代パワー半導体の放熱基板に
ニュースイッチ
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アカネ(広島市安芸区、砂本健市社長)は、熱伝導率が銅の2倍以上と極めて高い、黒鉛と銅からなる複合材を開発した。ハイブリッド自動車(HV)や電車などに使われる次世代パワー半導体の放熱基板としての用途を想定し実用化を進める。 開発した複合材の熱伝導率は平均800ワット/メートル・ケルビン以上。銅が398、ヒートシンクの材料になるアルミニウムが236なのと比べても高い。シート状炭素分子が層状に積み...
13Picks
デンソーとFLOSFIA、次世代パワー半導体「酸化ガリウム」を車載用途に
財経新聞
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デンソーとFLOSFIAは4日、次世代のパワー半導体の材料として、コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)の車載応用に向けた共同開発を開始すると発表した。
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パワー半導体にもEVの波がやって来た!
ニュースイッチ
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パワー半導体各社が攻勢を強めている。家電や産業機器向けの市場が好調に推移するほか、今後は電気自動車(EV)化の進展で需要が一段と膨らむ見通し。次の成長の柱となる「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体」を
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EV用パワー半導体「全てそろえている」 オンセミ
EE Times Japan
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オン・セミコンダクターは「第10回 国際カーエレクトロニクス技術展」(2018年1月17〜19日、東京ビッグサイト)で、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)向けのパワー半導体などを展示。EVやHEVに必要な製品をほぼ全てそろえていると強調した。
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日立金属、ロームからSiC製造の一部を受託へ
EE Times Japan
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日立金属は2017年11月9日、ロームからSiC(炭化ケイ素)パワー半導体ウエハーの製造プロセスの一部(研磨工程)を受託する方針を明らかにした。
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パワー半導体の規模拡大に消極的だった富士電機が攻めに転じたワケ
ニュースイッチ
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富士電機がパワー半導体の事業拡大に向け、アクセルを踏み込む。2017―20年度の4年間で500億円規模の増産投資を実施し、23年度までに売上高を17年度見込み比5割増の1500億円規模に引き上げる計画。これまで同社はパワー半導体について規模拡大には消極的だった。自動車の電気自動車(EV)化の流れが戦略を一変させた。 富士電機はパワー半導体事業で、17年度に設備更新などの基盤整備用途での100...
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東芝がメモリー以外でも半導体で攻める
ニュースイッチ
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東芝は自動車向けを中心とした需要増をにらみ、パワー半導体事業で増産体制を整える。2017年度中にシリコン(Si)パワー半導体の生産能力を現在比20%引き上げる。次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体では大口径化を進め、生産能力を同5倍に高める。同事業で売上高ベースで年率5%の成長を目指す。半導体メモリー事業売却後の半導体部門の中核となるパワー半導体事業の拡大は、同社の成長戦略に必須となる。...
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次世代パワー半導体材料で酸化ガリウム急浮上
ニュースイッチ
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次世代パワー半導体の材料の候補に、酸化ガリウム(Ga2O3)が急浮上している。電力変換効率に優れ、実用化が進む炭化ケイ素(SiC)より高性能で、生産コストも抑えられるという。京都大学発ベンチャーのFLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅俊実社長、075・963・5202)が、Ga2O3製のショットキーバリアーダイオード(SBD)を開発。実用化の研究で先行するSiCや窒化ガリウム(Ga...
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GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター
MONOist
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安川電機は、ACサーボドライブの新製品として、GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7F」モデルを発売した。サーボモーターとサーボパック機能を一体化し、サーボパックのアンプ部の体積比を従来の2分の1に抑えた。
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デンソーとFLOSFIA、酸化ガリウムパワー半導体の開発で協業
EE Times Japan
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デンソーとFLOSFIAは、酸化ガリウムパワー半導体の開発で協業すると発表した。車載応用に向け開発を進める。
1Pick
電源OFF時の消費電力を削減、Push Buttonロードスイッチ
EDN Japan
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トレックス・セミコンダクターは、小容量電池搭載のデバイス向けに、パワーセーブ機能付きのPush Buttonロードスイッチ「XC6192」シリーズを発表した。消費電流は電源OFF時が10nA、電源ON時が0.45μAとなる。
8Picks
SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
EDN Japan
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アナログ・デバイセズ(ADI)は2017年5月23日、高いコモンモード過渡電圧耐性性能と低伝搬遅延を両立した小型の絶縁ゲートドライバ4製品を発表した。
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インバーターにSiCパワー半導体を採用した効果をシミュレーションで実証
MONOist
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ロームは「自動車技術展:人とくるまのテクノロジー展2017」において、電気自動車向けのSiCパワー半導体を提案する。
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パワー半導体SiC、25年までに6.9倍の成長。市場を牽引する日本企業の最新技術
エコノミックニュース
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IT技術の発展と省エネは、決して切り離して考えることはできないものだ。  今や、我々の生活はIT技術に支えられているといっても過言ではない。身近な交通機関や自動車、住宅もIT技術の塊のような世の中。
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パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
EE Times Japan
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富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
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次世代パワー半導体のウエハーを高効率に切り出す!
ニュースイッチ
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電子機器への省エネルギー要求が高まる中、炭化ケイ素(SiC)が電力損失の少ない次世代パワー半導体材料として期待されている。普及への課題は製造コストが高く加工しにくい点だ。ディスコはSiCの塊(インゴッド)から、高効率かつ高精度にウエハーを切り出す加工技術「KABRA(カブラ)」を開発した。同技術はSiC市場を切り開く一手となるか。技術開発本部の大宮直樹レーザ技術部長に聞いた。 ―カブラとは。...
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アイシン精機、車載半導体をタワージャズで量産
EE Times Japan
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タワージャズは、アイシン精機がタワージャズのパワーマネジメント技術を用いて、次世代の車載用半導体チップを量産することになったと発表した。
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